二维材料异质结的可控制备及其在电子器件中的应用新进展

摘要 ：二维材料因其独特的物理和化学性质在材料科学和纳米技术领域引起了广泛关注。其中，二维材料异质结的可控制备是实现其在电子器件中广泛应用的关键。本文综述了二维材料异质结的最新制备方法，包括化学气相沉积、机械剥离转移、分子束外延等，并详细讨论了其在电子器件如晶体管、存储器、传感器等方面的应用新进展。同时，分析了当前研究面临的挑战，并对未来的发展趋势进行了展望。

关键词：二维材料；异质结；可控制备；电子器件

一、引言

（一）二维材料的兴起

随着科技的进步，材料科学逐渐向微观尺度发展，二维材料因其超薄的结构和独特的性能，如高载流子迁移率、良好的光学特性和机械柔韧性等，成为了研究的热点。

（二）二维材料异质结的重要性

二维材料异质结通过不同材料的组合，可以实现单一材料无法达到的性能，为电子器件的性能提升和功能拓展提供了新的途径。

二、二维材料异质结的可控制备方法

（一）化学气相沉积（CVD）

通过控制反应气体的种类、流量、温度和压力等参数，在衬底上生长出高质量的二维材料异质结。该方法具有生长速度快、大面积均匀性好等优点。

（二）机械剥离转移

将预先制备好的二维材料通过机械剥离的方式转移到目标衬底上，然后与其他二维材料进行堆叠形成异质结。这种方法虽然精度较高，但效率较低。

（三）分子束外延（MBE）

在超高真空环境下，通过精确控制原子或分子束的束流强度和沉积时间，实现原子级精度的二维材料异质结生长。

（四）其他制备方法