前世，半导体光刻胶按照曝光波长不同可分为g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）以及新兴起的EUV光刻胶5大类，高端光刻胶指KrF、ArF和EUV光刻胶，等级越往上其极限分辨率越高，同一面积的硅晶圆布线密度越大，性能越好。

当前的半导体制程还不那么先进，主流工艺在800-1200nm之间，因此波长436nm的光刻光源就够用。

中国在70年代就开始研究光刻胶了。

光刻胶巨头JSR，也只是在1979年进入光刻胶领域。但JSR的半导体光刻胶逐渐全面覆盖从g线到EUV。

而中国直接在八十年代放弃光刻胶的研发了。

不过这也怪不得当时的决定，处处落后，各方面都被国外垄断了，想要发展光刻胶，简直难如登天。

但如今，龙芯设计公司、无疆微电子公司和无疆公司实现了从芯片设计到芯片生产以及芯片下游应用终端的产业产闭环。这让国产光刻胶迎来历史性机遇，也为研发光刻胶提供了动力。为了不被卡脖子，自主研发光刻胶是必然的选择。

三周之后，在黄昆、秦国刚、王守武、王圩等人的帮助下，国家开始行动起来，探究讨论，调集资源，组建了无疆光刻胶有限公司。

其中，无疆公司投资3亿人民币，持股60%。

无疆光刻胶有限公司的总部就设在无疆微电子公司旁边。对于光刻胶生产企业而言，光刻机除了可用于研发以外，更为关键的是光刻机同样也是光刻胶大规模量产过程中必不可少的检验检测设备之一。

……

就在中国这边成立无疆光刻胶有限公司时，RB几大光刻胶巨头以及佳能、尼康却是聚在一起，商量遏制无疆微电子公司发展的事情。

“无疆微电子公司虽然成立的时间短，但是发展迅猛，背景强大，由中国各大研究机构组成，背后还有无疆集团的支持。若是让无疆微电子公司发展起来，不仅会威胁我国光刻机产业，而且还会对光刻胶产业产生影响。”

尼康高管山田日豿沉声道，“中国有句话叫，‘皮之不存，毛将焉附’，倘若RB光刻机被打败，RB的光刻胶产业还能发展的起来吗？中国有先进的光刻机，难道不会自己开发光刻胶吗？中日关系怎样，大家心知肚明。中国岂会让我们RB人在光刻胶上面卡脖子？”

“卧榻之侧，岂容他人鼾睡！亚洲光刻机霸主必须是我们RB人的！”

“松本君、伊藤小姐、井上君……摆脱各位了，不能再给无疆微电子公司提供光刻胶了，请断供吧！！！”